Desarrollan memorias de nanopuntos, seran 100 veces mas rapidas que las actuales

Investigadores de Taiwan y la Universidad de Berkeley (California -EEUU) han desarrollado un nuevo medio de almacenamiento de datos basado en tecnología nanoscópica, que ha partir de resultados lanzados en pruebas aseguran que puede superar con mucha ventaja a las memorias actuales en el mercado.

Esta nueva tecnología la cual se denomina Si-QD NVM (Silicon Quantum-Dots Non-Volatile Memory), en etapa de desarrollo utiliza una base de conductividad sin electricidad, compuestos por líneas horizontales de puntos de silicio aislados, los cuales no superan los 3 nanómetros de diámetro, y cada  uno representa un bit único de memoria.

Sobre todo este conjunto de puntos lo recubre  una capa metálica que funciona como un interruptor cambiando los estados de cada punto. Una de las ventajas de esta tecnología es que la velocidad al escribir, modificar o eliminar cada punto de bit es muy inferior a 1 nanosegundo lo que da una velocidad entre 10 y 100 veces más rápidas que las memorias actuales.

Según informes la producción de esta tecnología no asumiría grandes costes y la materia prima utilizada tiene cierta compatibilidad con las utilizadas en las memorias actuales.

Esta tecnología aun esta en desarrollo, así que por el momento tendremos que seguir conformándonos con los HDD y SDD.